《光刻》全集免费百度云在线观看

光刻胶正负胶的区别-《光刻》

正型光刻胶和负型光刻胶的区别
最主要的区别就是正胶经曝光显影后可溶与显影液;负胶经曝光显影后不溶与显影液同样一块mask，正胶和负胶曝光显影后图形是相反的

光刻板正版和负版区别
光刻板正版和负版的区别：光刻正版是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。负版是光刻后，用腐蚀...

负性光刻胶的简介
光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。...

《光刻-百度百科》光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。《光刻流程》《准分子光刻技术》《极紫外光刻技术》《更多 >》

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